POLARIZACIÓN DIRECTA

Si ahora aplicamos a dicha unión una tensión exterior de signo contrario a la barrera de potencial interna, ésta irá disminuyendo en anchura. A mayor tensión aplicada externamente corresponderá una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente.

En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N están en disposición de pasar a la zona P. Exactamente igual están los huecos de la zona P que quieren "pasar" a la zona N.

o----

----o

+  o--

--o -

zona P

barrera interna de potencial

zona N

b) Polarización directa débil, región agotada 
reducida, pero no eliminada

+  o--

--o -

zona P

zona N

c) Al aumentar la polarización directa, la zona agotada 
y su barrera de potencial interna asociada han sido neutralizadas

A la tensión externa que anula la barrera de potencial de la unión y la deja preparada para el paso de los respectivos portadores mayoritarios, se le denomina tensión Umbral. Se la representa po Vu y sus valores prácticos son:

Para el Silicio  Vu = 0,4 - 0,5 voltios

Para el Germanio Vu =  0,05 - 0,06 voltios

En esta situación, al aplicar un aumento en la tensión exterior, los electrones se sentirán atraidos por el polo positivo de la pila y los huecos por el negativo de la misma. No hay dificultad para atravesar la unión y por tanto aparecerá una corriente de mayoritarios a través del circuito. A partir de aqui, cualquier aumento de tensión provoca un aumento de la corriente.

Al conjunto de tensiones que crean corriente proporcional en el diodo se les llama tensiones de polarización directa o de funcionamiento. Sus valores típicos son:

Para el Silicio 0,5 - 0,8 voltios

Para el Germanio 0,06 - 0,15 voltios

Flujo de corriente en un diodo polarizado en directo

Parece lógico pensar que llegará un momento en que el proceso, aumento de tensión exterior, aumento de corriente en la unión, tendrá que parar. Y esto es así, porque a partir de un determinado valor de la tensiñon exterior aplicada, los electrones se neutralizan en mayor número con los huecos en el interior del diodo y son pocos los que pueden salir al circuito exterior. Es decir que el aumento es absorbido por el mismo diodo. A esta tensión a partir de la cual la corriente a través del diodo se mantiene constante, (en la práctica aumenta ligeramente) se le denomina tensión de saturación.

Sus valore típicos son:

Para el Silicio Vsat  0,8 - 0,9 voltios

Para el Germanio  Vsat  0,15 - 0,2 voltios

Cualquier intento de provocar un aumento de corriente puede originar a partir de este momento la destrucción del diodo.